1。開(kāi)關(guān)三極管的基本電路圖
負載電阻被直接跨接于三極管的集電極與電源之間，而位居三極管主電流的回路上，輸入電壓Vin則控制三極管開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟(open) 與閉合(closed) 動(dòng)作，當三極管呈開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)，負載電流便被阻斷，反之，當三極管呈閉合狀態(tài)時(shí)，電流便可以流通?！ ≡敿毜恼f(shuō)，當Vin為低電壓時(shí)，由于基極沒(méi)有電流，因此集電極亦無(wú)電流，致使連接于集電極端的負載亦沒(méi)有電流，而相當于開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟，此時(shí)三極管乃工作于截止(cut off)區?！ ⊥?，當Vin為高電壓時(shí)，由于有基極電流流動(dòng)，因此使集電極流過(guò)更大的放大電流，因此負載回路便被導通，而相當于開(kāi)關(guān)的閉合，此時(shí)三極管乃工作于飽和區(saturation)。
關(guān)于晶體三極管的開(kāi)關(guān)飽和區，MOS管的飽和區就是晶體管的放大區。
晶體三極管的放大是電流關(guān)系的放大，即Ic=B*Ib
而MOS管的放大倍數是Ic=B*Ugs,與g、s兩端的電壓有關(guān)系
MOS管的放大倍數比較大，穩定。
2.基極電阻的選取
(1)首先判斷三極管的工作狀態(tài)，是放大區(增大驅動(dòng)電流)還是飽和區(開(kāi)關(guān)作用)
(2)若工作在放大區，根據集電極負載的參數，計算出集電極的電流，之后根據三級管的放大特性計算出基極電流，再根據電流值計算出電阻。
(3)若工作在飽和區，
以NPN管為例大致計算一下典型3元件開(kāi)關(guān)電路的選值：
設晶體管的直流放大系數為100，Ib=(驅動(dòng)電壓-0.7Vbe結壓降)/Rb，Vce=Vcc-100Ib×Rc，令Vce=0，由此可算出臨界值(飽和區與放大區的臨界)，只要Rb小于臨界值即可，但其zui小值受器件Ib容限限制，切勿超過(guò)。
3.補償電容電路圖
一般線(xiàn)性工作的放大器(即引入負反饋的放大電路)的輸入寄生電容Cs會(huì )影響電路的穩定性，其補償措施見(jiàn)圖。放大器的輸入端一般存在約幾皮法的寄生電容Cs，其頻帶的上限頻率約為：
ωh=1/(2πRfCs)
為了保持放大電路的電壓放大倍數較高，更通用的方法是在Rf上并接一個(gè)補償電容Cf，使RinCf網(wǎng)絡(luò )與RfCs網(wǎng)絡(luò )構成相位補償。RinCf將引起輸出電壓相位超前，由于不能準確知道Cs的值，所以相位超前量與滯后量不可能得到完全補償，一般是采用可變電容Cf，用實(shí)驗和調整Cf的方法使附加相移zui小。若Rf=10kΩ,Cf的典型值絲邊3～10pF。對于電壓跟隨器而言，其Cf值可以稍大一些。
3.運放電源旁路電容
旁路是把前級或電源攜帶的高頻雜波或信號濾除，去藕是為保證輸出端的穩定輸出
每個(gè)集成運放的電源引線(xiàn)，一般都應采用去偶旁路措施，如圖所示圖中的高頻旁路電容，通?？蛇x用高頻性能優(yōu)良的陶瓷電容，其值約為0.1μF?；虿捎胠μF的鉭電容。這些電容的內電感值都較小。在運放的高速應用時(shí)，旁路電容C1和C2應接到集成運放的電源引腳上，引線(xiàn)盡量短，這樣可以形成低電感接地回路。
注：當所使用的放大器的增益帶寬乘積大于10MHz時(shí)，應采用更嚴格的高頻旁路措施，此時(shí)應選用射頻旁路電容，對于通用集成芯片，對旁路的要求不高，但也不能忽視，通常zui好每4～5個(gè)器件加一套旁路電容。不論所用集成電路器件有多少，每個(gè)印刷板都要至少加一套旁路電容。
在直流電源回路中，負載的變化會(huì )引起電源噪聲。例如在數字電路中，當電路從一個(gè)狀態(tài)轉換為另一種狀態(tài)時(shí)，就會(huì )在電源線(xiàn)上產(chǎn)生一個(gè)很大的尖峰電流，形成瞬變的噪聲電壓。配置去耦電容可以抑制因負載變化而產(chǎn)生的噪聲，是印制電路板的可靠性設計的一種常規做法，配置原則如下：
●電源輸入端跨接一個(gè)10～100uF的電解電容器，如果印制電路板的位置允許，采用100uF以上的電解電容器的抗干擾效果會(huì )更好。
●為每個(gè)集成電路芯片配置一個(gè)0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印制電路板空間小而裝不下時(shí)，可每4～10個(gè)芯片配置一個(gè)1～10uF鉭電解電容器，這種器件的高頻阻抗特別小，在500kHz～20MHz范圍內阻抗小于1Ω，而且漏電流很小(0.5uA以下)。
●對于噪聲能力弱、關(guān)斷時(shí)電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件，應在芯片的電源線(xiàn)(Vcc)和地線(xiàn)(GND)間直接接入去耦電容。
●去耦電容的引線(xiàn)不能過(guò)長(cháng)，特別是高頻旁路電容不能帶引線(xiàn)。
在直流電源回路中，負載的變化會(huì )引起電源噪聲。例如在數字電路中，當電路從一個(gè)狀態(tài)轉換為另一種狀態(tài)時(shí)，就會(huì )在電源線(xiàn)上產(chǎn)生一個(gè)很大的尖峰電流，形成瞬變的噪聲電壓。配置去耦電容可以抑制因負載變化而產(chǎn)生的噪聲，是印制電路板的可靠性設計的一種常規做法，配置原則如下：
●電源輸入端跨接一個(gè)10～100uF的電解電容器，如果印制電路板的位置允許，采用100uF以上的電解電容器的抗干擾效果會(huì )更好。
●為每個(gè)集成電路芯片配置一個(gè)0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印制電路板空間小而裝不下時(shí)，可每4～10個(gè)芯片配置一個(gè)1～10uF鉭電解電容器，這種器件的高頻阻抗特別小，在500kHz～20MHz范圍內阻抗小于1Ω，而且漏電流很小(0.5uA以下)。
●對于噪聲能力弱、關(guān)斷時(shí)電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件，應在芯片的電源線(xiàn)(Vcc)和地線(xiàn)(GND)間直接接入去耦電容。
●去耦電容的引線(xiàn)不能過(guò)長(cháng)，特別是高頻旁路電容不能帶引線(xiàn)。在直流電源回路中，負載的變化會(huì )引起電源噪聲。例如在數字電路中，當電路從一個(gè)狀態(tài)轉換為另一種狀態(tài)時(shí)，就會(huì )在電源線(xiàn)上產(chǎn)生一個(gè)很大的尖峰電流，形成瞬變的噪聲電壓。配置去耦電容可以抑制因負載變化而產(chǎn)生的噪聲，是印制電路板的可靠性設計的一種常規做法，配置原則如下：
●電源輸入端跨接一個(gè)10～100uF的電解電容器，如果印制電路板的位置允許，采用100uF以上的電解電容器的抗干擾效果會(huì )更好。
●為每個(gè)集成電路芯片配置一個(gè)0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印制電路板空間小而裝不下時(shí)，可每4～10個(gè)芯片配置一個(gè)1～10uF鉭電解電容器，這種器件的高頻阻抗特別小，在500kHz～20MHz范圍內阻抗小于1Ω，而且漏電流很小(0.5uA以下)。
●對于噪聲能力弱、關(guān)斷時(shí)電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件，應在芯片的電源線(xiàn)(Vcc)和地線(xiàn)(GND)間直接接入去耦電容。
●去耦電容的引線(xiàn)不能過(guò)長(cháng)，特別是高頻旁路電容不能帶引線(xiàn)。