為了更深入的理解功率MOSFET的其它一些參數，本文仍然選用英飛凌公司的功率MOSFET為例，型號為IPD90N06S4-04。為了使每個(gè)參數的說(shuō)明更具備直觀(guān)性和易于理解，所有的表格和圖表也是從IPD90N06S4-04中摘錄出來(lái)的。下面就對這些參數做逐一的介紹。
如果需要更好的理解功率MOSFET，則需要了解更多的一些參數，這些參數對于設計都是十分必要和有用的。這些參數是ID、Rthjc、SOA、Transfer Curve、和EAS。
ID：定義了在室溫下漏級可以長(cháng)期工作的電流。需要注意的是，這個(gè)ID電流的是在Vgs在給定電壓下, Tc=25℃下的ID電流值。
ID的大小可以由以下的公式計算：
以IPD90N06S4-04為例，計算出的結果等于169A。為何在數據表上只標注90A呢？這是因為zui大的電流受限于封裝腳位與焊線(xiàn)直徑，在數據表的注釋1）中可以看到詳細的解釋。如下表所示：
此外，數據表中還給出了ID和結溫之間的曲線(xiàn)關(guān)系。從下表中可以看出，當環(huán)境溫度升高時(shí), ID會(huì )隨著(zhù)溫度而變化。在zui差的情況下,需要考慮在zui大環(huán)境溫度下的ID的電流仍然滿(mǎn)足電路設計的正常電流的要求。
Rthjc：設計者需要非常關(guān)注的設計參數，特別是當需要計算功率MOSFET在單脈沖和不同占空比時(shí)的功率損耗時(shí)，就需要查看這個(gè)數據表來(lái)進(jìn)行設計估算。筆者將在如何用數據表來(lái)進(jìn)行設計估算中來(lái)具體解釋。
SOA：功率MOSFET的過(guò)載能力較低，為了保證器件**工作，具有較高的穩定性和較長(cháng)的壽命，對器件承受的電流、電壓、和功率有一定的限制。把這種限制用Uds-Id坐標平面表示，便構成功率MOSFET的**工作區 （Safe Operating Area，縮稱(chēng)SOA）。同一種器件，其SOA的大小與偏置電壓、冷卻條件、和開(kāi)關(guān)方式等都有關(guān)系。如果要細分SOA，還有二種分法。按柵極偏置分為正偏置SOA和反偏置SOA；按信號占空比來(lái)分為直流SOA、單脈沖SOA、和重復脈沖SOA。
功率MOSFET在開(kāi)通過(guò)程及穩定導通時(shí)必須保持柵極的正確偏置，正偏置SOA是器件處于通態(tài)下容許的工作范圍；相反，當關(guān)斷器件時(shí)，為了提高關(guān)斷速度和可靠性，需要使柵極處于反偏置，所以反偏置SOA是器件關(guān)斷時(shí)容許的工作范圍。
直流SOA相當于占空比－>1是的工作條件；單脈沖SOA則對應于占空比－> 0時(shí)的工作條件；重復脈沖SOA對應于占空比在0<D <1時(shí)的工作條件。從數據表上可以看出：?jiǎn)蚊}沖SOAzui大，重復脈沖SOA次之，直流SOAzui窄。
Transfer Curve：是用圖表的方式表達出ID和Vgs的函數關(guān)系。廠(chǎng)商會(huì )給出在不同環(huán)境溫度下的三條曲線(xiàn)。通常這三條曲線(xiàn)都會(huì )相交與一點(diǎn)，這個(gè)點(diǎn)叫做溫度穩定點(diǎn)。
如果加在MOSFET的Vgs低于溫度穩定點(diǎn)（在IPD90N06S4-04中是Vgs<6.2V，此時(shí)的MOSFET是正溫度系數的，就是說(shuō)，ID的電流是隨著(zhù)結溫同時(shí)增加的。在設計中，在大電流的設計中時(shí)，應避免使功率MOSFET工作在正溫度系數區域。
當Vgs超過(guò)溫度穩定點(diǎn)（在IPD90N06S4-04中是Vgs>6.2V）, MOSFET是正溫度系數的, 就是說(shuō)，ID的電流是隨著(zhù)結溫的增加是減少的。這在實(shí)際應用中是一個(gè)非常好的特性，特別是是在大電流的設計應用中時(shí)，這個(gè)特性會(huì )幫助功率MOSFET通過(guò)減少Vgs電流來(lái)減少結溫的增加。
EAS: 為了了解在雪崩電流情況下功率MOSFET的工作情況，數據表中給出了雪崩電流和時(shí)間對應的曲線(xiàn)，這個(gè)曲線(xiàn)上可以讀出在相應的雪崩電流下，功率MOSFET在不損壞的情況下能夠承受的時(shí)間。對于同樣的雪崩能量，如果雪崩電流減少，能夠承受的時(shí)間會(huì )變長(cháng)，反之亦然。環(huán)境溫度對于雪崩電流的等級也有影響，當環(huán)境溫度升高時(shí)，由于收到zui大結溫的限制，能夠承受的雪崩電流會(huì )減少。
數據表中給出了功率MOSFET能夠承受的雪崩能量的值。在次例子中，室溫下的EAS=331mJ
上表給出的只是在室溫下的EAS，在設計中還需要用到在不同環(huán)境溫度下的EAS，廠(chǎng)商在數據表中也會(huì )給出，如下圖所示。
