雖然降壓轉換器的輸入電容一般是電路中為重要的電容，但通常其并未得到人們足夠的重視。

在滿(mǎn)足嚴格的紋波和噪聲要求時(shí)，傳統電源設計方法過(guò)多地強調輸出電容的選擇和布局?？蛻?hù)愿意為高性能部件花錢(qián)，但就目前而言常常被忽略的輸入電容，對于一種成功的降壓轉換器設計來(lái)說(shuō)更為重要。其高頻特性和布局將決定設計的成功與否。在選擇和布局輸出電容方面，確實(shí)有更大的自由度。即便是在滿(mǎn)足輸出噪聲要求方面，選擇和布局輸入電容也很重要。

輸入電容相關(guān)應力比輸出電容相關(guān)應力要更大，主要表現在兩個(gè)方面。輸入電容會(huì )承受更高的電流變化率，其布局和選擇對限制主開(kāi)關(guān)電壓應力以及限制進(jìn)入系統的噪聲至關(guān)重要。另外，它更高的均方根 （RMS） 電流應力和潛在的組件發(fā)熱使得這種選擇對整體可靠性而言更加重要。

電流的快速變化率

應力的第 一個(gè)方面是快速電流變化率即dI/dT，其表現為所有內部或雜散電感的電壓。這會(huì )給輸入電容供電運行的開(kāi)關(guān)或鉗位二極管帶來(lái)過(guò)電壓應力，并將高頻噪聲輻射到系統中。

高側降壓開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)電流為零，開(kāi)啟時(shí)為滿(mǎn)負載電流。輸入電容會(huì )承受一個(gè)從零到滿(mǎn)負載的方波電流?，F代 MOSFET 以及隨后旁路電容中的電流上升時(shí)間均為 5 ns 數量級。這種快速的電流變化率 （dI/dT），乘以總雜散電感 （L），在降壓開(kāi)關(guān)上形成電壓尖峰。另一方面，輸出電容承受的是一種，經(jīng)輸出扼流圈平流并受扼流圈峰至峰電流限制的電流波形。一般而言，輸出扼流圈紋波電流被設計限定到滿(mǎn)負載電流的 40% 或更小的電流。

就 500 kHz、10% 占空比下運行的降壓轉換器而言，其意味著(zhù) 40% 負載電流的上升時(shí)間為 200 ns。也就是說(shuō)，5 ns 上升 100% 比 200 ns 上升 40% 的電流變化率高 100 倍。就給定電感的電壓而言，情況也是如此。對一些高占空比或低輸出扼流圈紋波電流的設計來(lái)說(shuō)，這種比率遠不止 100 倍。

電容的 RMS 電流

應力的第 二個(gè)方面是 RMS 電流。該電流的平方并乘以相關(guān)電容的等效串聯(lián)電阻 （ESR） 后得出的結果是熱量。過(guò)熱會(huì )縮短組件壽命，甚至引發(fā)災難性的故障。

輸入電容的 RMS 電流等于負載電流乘以 （D*（1-D））的平方根，其中 D 為降壓開(kāi)關(guān)的占空比。就 5-V 輸入和 1.2-V 輸出而言，D約為1/4，而 RMS 電流為 43% 輸出電流。同步整流的 12-V 輸入和 1-V 輸出情況下，D 約為 1/10，而 RMS 電流為輸出電流的 30%。另一方面，鋸齒形輸出電容電流的 RMS 電流等于電感的峰至峰紋波電流除以 √12。對于一種 40% 負載電流電感峰至峰紋波電流的降壓設計來(lái)說(shuō)，輸出電容的 RMS 電流只是輸出電流的 12%，即比輸入電容電流小 2.5 倍。

電容電感和 ESR

表面貼裝陶瓷電容的一般封裝尺寸從 0603 到 1210（公制尺寸 1608 到3225）不等。通過(guò) AVX 應用手冊，我們知道電感一般為約 1 nH。就一般 2917（公制尺寸7343）封裝尺寸的芯片型鉭電容和電解質(zhì)電容而言，電感約為 4 到7 nH。其中，導線(xiàn)尺寸起了很重要的作用。

1210 封裝尺寸、6.3-V 到 16-V 額定電壓陶瓷電容的 ESR 約為 1 到 2 mΩ。芯片型鉭電容具有一個(gè) 50 到 150 mΩ 的典型 ESR 范圍。這就決定了防止過(guò)熱的大允許 RMS 電流。盡管 1210 封裝尺寸的陶瓷電容可應對 3 A RMS，但是鉭電容尺寸 1210 只能處理 0.5 A 的電流，而更大的 2917 尺寸則可以處理約 1.7 A 的電流。一種多陽(yáng)極鉭電容已開(kāi)始供貨，其電感和電阻降低了一半。

設計考慮

設計實(shí)例（請參見(jiàn)圖 1）所示電路顯示了一個(gè) 6 A 電流下 1.2V 到 12 V 輸入電壓的電路。它使用一個(gè)運行在 300 kHz 的控制器（TPS40190）。用戶(hù)優(yōu)先考慮方面是低成本和簡(jiǎn)單的材料清單 （BOM）。輸入和輸出電容的給定標準為 1210 封裝的 22-μF、16-V 陶瓷電容。這些電容可以處理 3 A RMS，并且發(fā)熱小。就輸入電容而言，用戶(hù)一般不關(guān)注電壓紋波，而只關(guān)心電流是否過(guò)高。輸入電壓在其 5-V 小值而占空比為 Vout / Vin 即 0.25 時(shí)，出現極端情況。RMS 電流為 Iout×√（D× （1-D）），即 2.6 A。

設計時(shí)，輸出紋波電壓限制定在 20 mV 峰至峰 （pp） 以下。輸出電感值選定為 2.2 μH，以將峰至峰紋波電流限定為 1.8A，也即滿(mǎn)負載的 30%。低 ESR 和電感輸出電容的輸出紋波電壓 （Vpp） 為峰至峰電流 （Ipp） 除以輸出電容 （Cout） 乘以 2π 乘以開(kāi)關(guān)頻率 （F），即Vpp = Ipp/（2π×F×Cout）。假設一個(gè) Vout 正常值 80% 的電容占 20% 的容差，則需要三個(gè)電容。

測試重點(diǎn)與討論

峰值-峰值輸入紋波電壓約為 200 mV（請參見(jiàn)圖 3），比輸出紋波電壓（請參見(jiàn)圖 2）大 10 倍。如果使用三個(gè)輸入電容而非一個(gè)，則輸入紋波電壓仍然比輸出紋波電壓大 3 倍。一些客戶(hù)要求嚴格地將輸入紋波電壓控制在 100 mV 以下，由于系統噪聲問(wèn)題，會(huì )要求使用三個(gè)輸入電容。另外，相比近正弦波輸出紋波，輸入電壓波形具有明顯得多的鋸齒形。因此，其高頻諧波更多。由于紋波要求一般以 20-MHz 帶寬測量設置作為標準，所以并不能看見(jiàn)全部的電容雜散電感影響。