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電接口設計中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因為帶損耗的傳輸線(xiàn)反射同頻率相關(guān)，這種情況下，盡量縮短PCB走線(xiàn)就顯得異常重要。
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穩壓二極管就是一種穩定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內部結構特點(diǎn)，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。
3
PN結具有一種很好的數學(xué)模型：開(kāi)關(guān)模型à二極管誕生了à再來(lái)一個(gè)PN結，三極管誕生了。
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高頻電路中，必須考慮PN結電容的影響（正向偏置為擴散電容，反相偏置為勢壘電容）。
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在高密度的場(chǎng)合下，由于收發(fā)信號挨在一起，很容易發(fā)生串擾，這在布線(xiàn)時(shí)要遵守3W原則，即相鄰PCB走線(xiàn)的中心線(xiàn)間距要大于PCB線(xiàn)寬的3倍。在插卡設備，接插件連接的位置，要有許多接地針，提供良好的射頻回路。
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雙極型管是電流控制器件，通過(guò)基極較小的電流控制較大的集電極電流；MOS管是電壓控制器件，通過(guò)柵極電壓控制源漏間導通電阻。
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三極管是靠載流子的運動(dòng)來(lái)工作的，以npn管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時(shí)，基區和發(fā)射區組成的pn結為阻止多子（基區為空穴，發(fā)射區為電子）的擴散運動(dòng)，在此pn結處會(huì )感應出由發(fā)射區指向基區的靜電場(chǎng)（即內建電場(chǎng)）。
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肖特基二極管（Schottky, SBD）適用于高頻開(kāi)關(guān)電路，正向壓降和反相壓降都很低（0.2V）但是反向擊穿電壓較低，漏電流也較大。
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抖動(dòng)特性絕大部分取決于輸出芯片的特性，不過(guò)，如果PCB布線(xiàn)不當，電源濾波不夠充分，時(shí)鐘參考源太沖太大也會(huì )增加抖動(dòng)成分。信號線(xiàn)的匹配對抖動(dòng)產(chǎn)生直接的影響。特別是芯片中含有倍頻功能，本身相位噪聲較大。
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極型選擇是指BJT是用PNP還是NPN管，這應該在確定電源形式時(shí)同時(shí)考慮。有些三極管的外殼與某個(gè)電極相連，對于硅管來(lái)說(shuō)往往是集電極。在需要某極接地時(shí)應考慮這個(gè)因素。
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場(chǎng)效應晶體管與BJT在工作過(guò)程中有很大的區別：BJT中的電荷載體是空穴或被擊出的少量的“少子”，FET中的電荷則是數目相對多幾個(gè)數量級的自由電子，“多子”。
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發(fā)射極正偏，集電極反偏是讓BJT工作在放大工作狀態(tài)下的前提條件。三種連接方式：共基極，共發(fā)射極（多，因為電流，電壓，功率均可以放大），共集電極。判別三種組態(tài)的方法：共發(fā)射極，由基極輸入，集電極輸出；共集電極，由基極輸入，發(fā)射極輸出；共基極，由發(fā)射極輸入，集電極輸出。
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三極管主要參數：電流放大系數β，極間反向電流，（集電極大允許電流，集電極大允許耗散功率，反向擊穿電壓=3個(gè)重要極限參數決定BJT工作在**區域）。
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因J-FET的Rgs很高，在使用時(shí)首先應注意無(wú)靜電操作，否則很容易發(fā)生柵極擊穿；另外就是在設計電路時(shí)應仔細考慮各極限參數，不能超出范圍。將J-FET當做可變電阻使用時(shí)應保證器件有正確的偏置，不能使之進(jìn)入恒流區。
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射極偏置電路：用于消除溫度對靜態(tài)工作點(diǎn)的影響（雙電源更好）。
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三種BJT放大電路比較：共射級放大電路，電流、電壓均可以放大。共集電極放大電路：只放大電流，跟隨電壓，輸入R大，輸出R小，用作輸入級，輸出級。共基極放大電路：只放大電壓，跟隨電流，高頻特性好。
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去耦電容：輸出信號電容接地，濾掉信號的高頻雜波。旁路電容：輸入信號電容接地，濾掉信號的高頻雜波。交流信號針對這兩種電容處理為短路。
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MOS-FET在使用中除了正確選擇參數以及正確的計算外，值得強調的仍然是防靜電操作問(wèn)題，在電路調試、焊接、安裝過(guò)程中，一定要嚴格按照防靜電程序操作。
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主流是從發(fā)射極到集電極的IC，偏流就是從發(fā)射極到基極的Ib。相對與主電路而言，為基極提供電流的電路就是所謂的偏置電路。
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場(chǎng)效應管三個(gè)鋁電極：柵極g，源極s，漏極d。分別對應三極管的基極b，發(fā)射極e，集電極c。<源極需要發(fā)射東西嘛，所以對應發(fā)射極e，柵極的英文名稱(chēng)是gate,門(mén)一樣的存在，和基極的作用差不多>其中P型襯底一般與柵極g相連。
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增強型FET必須依靠柵源電壓Vgs才能起作用（開(kāi)啟電壓Vt），耗盡型FET則不需要柵源電壓，在正的Vds作用下，就有較大的漏極電流流向源極
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N溝道的MOS管需要正的Vds（相當于三極管加在集電極的Vcc）和正的Vt（相當于三極管基極和發(fā)射極的Vbe），而P溝道的MOS管需要負的Vds和負的Vt。
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VMOSFET有高輸入阻抗、低驅動(dòng)電流；開(kāi)關(guān)速度塊、高頻特性好；負電流溫度系數、無(wú)熱惡性循環(huán)，熱穩定型優(yōu)良的優(yōu)點(diǎn)。
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運算放大器應用時(shí)，一般應用負反饋電流。
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差分式放大電路：差模信號：兩輸入信號之差。共模信號：兩輸入信號之和除以2。由此：用差模與共模的定義表示兩輸入信號可得到一個(gè)重要的數學(xué)模型：任意一個(gè)輸入信號=共模信號±差模信號/2。
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差分式放大電路只放大差模信號，抑制共模信號。利用這個(gè)特性，可以很好的抑制溫度等外界因素的變化對電路性能的影響。具體的性能指標：共模抑制比Kcmr。
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二極管在從正偏轉換到反偏的時(shí)候，會(huì )出現較大的反向恢復電流從陰極流向陽(yáng)極，其反向電流先上升到峰值，然后下降到零。
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在理想的情況下，若推挽電路的兩只晶體管電流、電壓波完全對稱(chēng)，則輸出電流中將沒(méi)有偶次諧波成分，及推挽電路由已知偶次諧波的作用。實(shí)際上由于兩管特性總有差異，電路也不可能完全對稱(chēng)，因此輸出電流還會(huì )有偶次諧波成分，為了減少非線(xiàn)性失真，因盡量精選配對管子。
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為了獲得大的輸出功率，加在功率晶體管上的電壓、電流就很大，晶體管工作在大信號狀態(tài)下。這樣晶體管的**工作就成為功率放大器的一個(gè)重要問(wèn)題，一般不以超過(guò)管子的極限參數（Icm、BVceo、Pcm）為限度。
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放大電路的干擾：1、將電源遠離放大電路2、輸入級屏蔽3、直流電源電壓波動(dòng)（采用穩壓電源，輸入和輸出加上濾波電容）。
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負反饋放大電路的四種組態(tài)：電壓串聯(lián)負反饋（穩定輸出電壓），電壓并聯(lián)負反饋，電流串聯(lián)負反饋（穩定輸出電流），電流并聯(lián)負反饋。
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電壓、電流反饋判定方法：輸出短路法，設RL=0，如果反饋信號不存在，為電壓反饋，反之，則為電流反饋。
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串聯(lián)、并聯(lián)反饋的判定方法：反饋信號與輸入信號的求和方式，若為電壓形式，則為串聯(lián)反饋，若為電流形式，則為并聯(lián)反饋。
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對于NPN電路，對于共射組態(tài)，可以粗略理解為把VE當作“固定”參考點(diǎn)，通過(guò)控制VB來(lái)控制VBE（VBE=VB-VE），從而控制IB，并進(jìn)一步控制IC（從電位更高的地方流進(jìn)C極，你也可以把C極看作朝上的進(jìn)水的漏斗）。
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對于數字電路來(lái)說(shuō)，VCC是電路的供電電壓,VDD是芯片的工作電壓(通常Vcc>Vdd)，VSS是接地點(diǎn)；在場(chǎng)效應管(或COMS器件)中，VDD為漏極，VSS為源極，VDD和VSS指的是元件引腳，而不表示供電電壓。
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示波器探頭有一條地線(xiàn)和一條信號線(xiàn)，地線(xiàn)就是和示波器輸入端子外殼通的那一條，一般是夾子狀的，信號線(xiàn)一般帶有一個(gè)探頭鉤，連接的話(huà)你把示波器地線(xiàn)接到你設備的地，把信號線(xiàn)端子接到你的信號端，注意如果要測量的信號和市電沒(méi)有隔離，則不能直接測量。
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驅動(dòng)能力不足含有兩種情況：一是器件的輸入電阻太小，輸出波形會(huì )變形，如TTL電平驅動(dòng)不了繼電器；二是器件輸入電阻夠大，但是達不到器件的功率，如小功率的功放，驅動(dòng)大功率的喇叭，喇叭能響，但音量很小，其實(shí)是輸出的電壓不夠大。
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濾波電路：利用電抗元件的儲能作用，可以起到很好的濾波作用。電感（串聯(lián)，大功率）和電容（并聯(lián)，小功率）均可以起到平波的作用。
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開(kāi)關(guān)穩壓電源與線(xiàn)性電源：線(xiàn)性電源，效率低、發(fā)熱強、但是輸出很穩定。開(kāi)關(guān)電源，效率高、發(fā)熱一般、但輸出紋波大，需要平波。
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由電子電路內因引發(fā)的故障類(lèi)型有：晶體管、電容、電阻等電子元件性能發(fā)生改變引發(fā)的故障；電子電路中有關(guān)線(xiàn)路接觸不佳引發(fā)的故障等。由外因引起的電子電路故障類(lèi)型有：技術(shù)人員使用電子電路時(shí)未按照說(shuō)明要求進(jìn)行操作；維修技術(shù)人員維修程序不規范不科學(xué)等。