砷化鎵 GaAs。黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。 砷化鎵是一種重要的半導體材料。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數量級以上的半絕緣高阻材料,用來(lái)制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點(diǎn)。此外，還可以用于制作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。

  銻化銦InSb,熔點(diǎn)：535℃，銻和銦的化合物。金屬銻和銦在高溫熔合而得。一般為云母的結晶體。除了具備砷化鎵的基本特性外，靈敏度更高。

  砷化銦 InAs，由銦和砷構成的Ⅲ一V族化合物半導體材料。InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效應和小的電阻溫度系數，是制造霍爾器件和磁阻器件的理想材料。InAs的發(fā)射波長(cháng)3.34μm，在InAs襯底上能生長(cháng)晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纖通信用的激光器和探測器。相對于霍爾的電流傳感器，砷化銦綜合了砷化鎵和 銻化銦的

 霍爾的電流傳感器芯片，基本都是以上三種，這是構成霍爾傳感器主要核心器件，從上世紀80年代到現在，幾乎無(wú)可替代。

  可惜這些芯片的技術(shù)始終在日本一方，隨著(zhù)市場(chǎng)不斷的擴大延伸，日本對于以上霍爾器件的把握能力越來(lái)越強，逐漸變成目前一家獨秀，壟斷的局面。

  國內目前也有廠(chǎng)家嘗試生產(chǎn)，技術(shù)也是有的，但能不能實(shí)現和這些高 端芯片的替換，需要時(shí)間，也需要耐心。。。。

   未完待續。。。。